基于光电传感器的光电效应与光电管和光电倍增管。基于光敏电阻的光电导效应。基于光电二极管和光电三极管的屏障效果（见半导体光敏元件）。基于横向光电效应有一个光电二极管的逆转。光电传感器也可以根据信号形式分为模拟光电传感器（见位移传感器）和数字光电传感器（见速度传感器、光栅传感器、数字传感器）。光电传感器和光纤传感器、固态图像传感器等。

　　光电开关是对某些物质材料的电特性变化的物理现象，可分为光电效应和光电效应两种。光电效应是指，在光的作用下在电子逃到物体的表面发射的物理现象。当光子的能量等于或大于功函数产生光电效应。所以每一个对象都有一个相应的光电光学频率阈值的影响，被称为红色的极限频率。

　　入射光红色上面限制频率，外生光电流与光强成正比。光电效应分为光电导效应和光光伏效应。光电导效应是指半导体材料禁带光的电子能量下不低于的禁带宽度的光子激发跃迁到导带，增加导电性的现象。禁带的宽度相对应的波长的光子能量称为光电导效应的临界波长。光伏效应指的是光效应能使半导体材料方向的电动势的现象。光生伏打效应，可以分为屏障效果（“光电效应）和横向光电效应。

　　屏障作用机制是在金属和半导体的接触面积（或者在PN结的情况下），光子激发电子的束缚势垒（或禁带）和电子空穴对，阻挡层中的电场作用下的电子到N的横向移动，横向孔搬到P区，光电动势的形成。横向光电效应是当光电设备表面不均匀的照明，敏感的光激发电子空穴对的浓度不均匀，电子传播不是照亮的部分，导致光部分带正电，不是一个带负电的现象。